Samsung вложит $34 млрд в выпуск памяти HBM в Южной Корее
Samsung начала строительство нового предприятия по упаковке полупроводников в кампусе Оньян в Южной Корее. Общий объём инвестиций в расширение площадки составит около 46 трлн вон — примерно $34 млрд, из них 6 трлн вон пойдут на производственные помещения и 40 трлн — на оборудование, которое установят поэтапно.
Новую линию планируют запустить в июне 2028 года — примерно на год раньше первоначального графика. Она станет пятой линией производства HBM на площадке, займёт три этажа, а площадь чистых помещений составит около 31 000 м². После расширения площадь всего кампуса вырастет с 270 000 до 420 000 м², проект создаст около 700 рабочих мест.
HBM — память с высокой пропускной способностью для современных ИИ-ускорителей. В ней несколько кристаллов DRAM располагаются друг над другом и соединяются вертикальными контактами, а затем сборка объединяется с процессором или ускорителем в одном корпусе. Такая конструкция даёт широкую шину обмена данными и высокую скорость, но требует исключительно точной сборки, надёжных соединений и тщательного тестирования.
Именно упаковка ограничивает выпуск готовых HBM-модулей: даже при достатке отдельных кристаллов их нужно сложить в стек, соединить и проверить, а дефект одного контакта может вывести из строя весь модуль. С ростом числа слоёв и плотности соединений усложняются и производство, и контроль качества, поэтому Samsung расширяет мощности не только для выпуска микросхем, но и для последующих этапов обработки.
Июнь 2028 года — срок начала работы линии, а не выхода на максимальные объёмы. По данным TrendForce со ссылкой на южнокорейские СМИ, массовое производство может начаться лишь в мае 2029 года, и Samsung эту дату официально не подтверждала. Компания также не раскрыла планируемые ежемесячные объёмы выпуска и не подтвердила, какие линии будут предназначены для отдельных поколений памяти; TrendForce связывает проект в том числе с подготовкой к HBM4E.