Micron удвоила плотность флеш-памяти и перешагнула 400 слоёв NAND
Micron Technology раскрыла планы на следующее поколение трёхмерной флеш-памяти G11, пропустив индекс G10. Производитель подтвердил, что число слоёв превысило 400 — минимум на 45% больше, чем у текущего поколения G9 с 276 слоями, которое используется, например, в SSD Crucial P510.
Благодаря новому техпроцессу и рекордно малому шагу ячеек битовая плотность G11 примерно вдвое выше, чем у G9. Если экстраполировать прежний показатель в 21 Гбит на квадратный миллиметр для TLC-памяти, для новинки можно ожидать около 42 Гбит/мм², однако Micron не уточнила, идёт ли речь строго о TLC или и о QLC.
Компания также переходит на соединение пластин «wafer-on-wafer»: массив ячеек памяти и логика ввода-вывода изготавливаются отдельно, а затем сплавляются вместе. Ранее этот подход внедрили YMTC, Kioxia, SanDisk и Samsung.
Скорость передачи данных между контроллером и NAND вырастет на 50% относительно G9 — с 3,6 Гбит/с до примерно 5,4 Гбит/с, а энергопотребление на передачу одного бита снизится более чем на 25%. Массовое производство G11 запланировано на вторую половину 2027 года.